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汤定元(1920-):国立中央大学物理系1942年毕业校友 1991年当选中国科学院学部委员

发布时间:2008年03月04日来源:浏览次数:84430

汤定元(1920-)
国立中央大学物理系1942年毕业校友  1991年当选中国科学院学部委员

  汤定元,著名红外物理学家。1920年5月12日生,江苏金坛人。
汤定元1938年考入国立中央大学理学院物理系,1942年7月毕业,获学士学位并留校任助教。1948年留学美国,1951年在芝加哥大学获硕士学位。
1951回国后,在中国科学院应用物理研究所、半导体研究所历任副研究员、研究员。1964年起至今为中国科学院上海技术物理研究所研究员,历任该所副所长、所长、红外物理国家重点实验室学术委员会主任。
汤定元曾当选为中国光学学会副理事长;先后担任第三届国际红外物理会议和第九届国际红外及毫米波国际会议顾问委员会委员,《中国科学》、《科学通报》、《半导体学报》编委,《红外与毫米波学报》主编等职。
1991年11月汤定元当选为中国科学院数学物理学部学部委员。
汤定元早期从事固体物理的研究。留美期间,他在高压物理研究中发现高压下金属Ce的化学键改变,并证明高压相正是金属原子半径理论所要寻找的相;他还首先在世界上研制成功金刚石高压容器,以体积小、易于掌握的特点被称之为"高压研究中的一个重要仪器",被各国高压实验室所采用。
1951年回国后,汤定元从事半导体光电现象的研究,在国际上首先定量解释了锗光电导光谱分布的物理现象,首次实验证实表面复合速度在光电导过程中的重要作用,该研究成果得到国际公认。70年代以来,他带领研究集体,开创我国窄禁带半导体分支学科的研究,共发表100多篇论文。
1982年他首次观测到碲镉汞的禁带宽度与组分和温度的关系,使禁带宽度的定义有了明确的物理意义。1986~1988年他在碲镉汞晶体完整的本征吸收光谱,提出碲镉汞晶体的电子输运研究中,对零禁带碲镉汞的导电现象提出了新概念;进而发现窄禁带半导体碲镉汞P-N结的电容、电压曲线的反常现象,理论证明这些反常现象的起源;并发现在一定条件下,P-N结的电抗随偏压增大,由容性转为感性,从而建立了一种新型的变容变感器的物理基础。他所在的研究所以此为依据,建立了一整套判别碲镉汞材料质量的技术方法,其中独创的光谱方法为国内有关单位与英国菲力浦公司采用。
汤定元创建了国内第一个半导体光电研究室,建立了国内第一个专门的红外器件研究室,进而倡导在国内形成热敏、热释电、光子、红外焦平面器件等研究分支,开创了三个主要红外应用波段关键器件的研究。
他很早就准确判断了碲镉汞在红外技术发展中的重要作用,制成国内第一根碲镉汞晶体和第一个器件,目前碲镉汞红外器件已成为国际上最重要的红外器件,在国内已为多种遥感、军事、民用仪器采用。他还直接为我国气象卫星用高可靠单元器件和军用多元线列器的发展作出了贡献,前者获国家科技进步三等奖,后者是我国军用光电技术的重大突破。
汤定元现为中国科学院上海技术物理研究所研究员、博士生导师。发表学术论文100多篇,编著书藉11本。他还悉心培养学科人才,已指导培养了9名博士、30多名硕士。