陈星弼(1931-):南京工学院无线电系讲师(1953～１９５６) １９９９年当选中国科学院院士

陈星弼(1931-)

南京工学院无线电系讲师(1953～１９５６) 　　１９９９年当选中国科学院院士

　　陈星弼，著名半导体及微电子学家。1931年生于上海，祖籍浙江浦江。
1952年毕业于同济大学电机系。1952年任厦门大学电机系助教，1953年任南京工学院无线电系助教、讲师。1956年南京工学院无线电系选派15位骨干教师支援新建成都电讯工程学院，陈星弼与王瑞骧、沈庆垓、谢处方、刘树杞、魏志源、刘盛纲等均在其中，当年起至1956年他被派往北京在中国科学院物理研究所所进修至1959年回成都电讯工程学院三系讲师、后升副教授。1980-1983年在美国俄亥俄大学物理系和加州大学伯克来分校EECS系作访问学者、研究工程师。
1983年起历任成都电讯工程学院(1988年更名电子科技大学)微电子科学与工程系、微电子研究所副教授、教授、系主任、所长、博士生导师、学科带头人。1992-1995年在加拿大多伦多大学电气工程系作访问教授和英国威尔斯大学天鹅海分校电子工程系作Ｓｅｎｉｏｒ Ｖｉｓｔｉｔｉｎｇ Ｐｒｏｆｅｓｓｏｒ．1995年至今任电子科技大学微电子科学与工程系及微电子所教授，博士生导师，学科带头人、名誉所长等职务。
1999年陈星弼当选为中国科学院院士。
陈星弼的主要业绩有以下几个方面：
(1)提出功率器件创新耐压结构及理论，新的结果突破了过去的理论极限关系。
(2)提出创新表面耐压理论与结构，可在通常的耐压30伏或更低的CMOS或BICMOS集成电路上同时做出极高耐压而速度快的功率器件。
(3)对克服功率器件边缘击穿的各种终端技术提出了场板、场限环、斜场板、表面变掺杂、电阻膜场板及切角的解析理论，覆盖了全部传统技术，还提出了斜场板及切角区外用介电系数较大的介质覆盖等新技术的理论及技术。
(4)其它器件物理的创新工作，50年代末对漂移晶体管的存储时间问题作了系统的理论分析。还提出新的电荷法基本方程，不均匀介质中镜象电荷方程等。70年代提出正偏ＰN结势垒区准费米能级降落理论。80年代以来，从事半导体电力电子器件的理论与结构创新方面的研究。
(5)在我国率先研制各种MOS型功率器件。1981年开始，在VDMOST，IGBT，MCT，EST，LDMOST，LIGBT等器件及FP，RFP，SIPOS等功率器件的特有工艺技术及功率器件CAD设计技术等方面，陈都是在我国首先提出立项并作为第一主研带领一批骨干完成研制工作。
他近年来的三项重要发明分别突破了纵向及横向的各种功率器件的传统理论极限，能得到远超现有器件的优值，且均获实验证明。这三项发明可使现代功率器件与其集成电路这一领域的发展比国际上有更高的起点。
他发表论文50余篇，被国内外书籍、IEEEED及其它各种刊物引用达百次之多。已授权的专利有美国发明专利2个，中国发明专利3个。专著5部，至今大部分仍被国内著名大学选作教材。其中关于功率MOS与高压集成电路的专著有许多创新，甚受国内外同行欢迎和引用。
他作为第一(或唯一)完成人的获奖科研成果8项其中国家科技进步奖及发明奖各1项、省部级二等奖6项。
陈星弼学识渊博、酷爱科学、善于发现问题。治学严谨、工作刻苦、不争名利。他是我国在新型电力电子器件及集成电路领域的代表人物。1998年被评为全国优秀教师。